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【24h】

ALD Aluminum Oxide as a Hole Selective Tunneling Contact for Crystalline Silicon Solar Cells

机译:ALD氧化铝作为晶体硅太阳能电池的空穴选择性隧穿接触

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摘要

films (≈1.5nm) are deposited on boron diffused (113Ω/□) hydrophilic surfaces to act as metal-insulatorsemiconductor (MIS) contacts. Record values of emitter recombination current densities (35-40 fA/cm
机译:薄膜(≈1.5nm)沉积在硼扩散(113Ω/□)的亲水表面上,用作金属-绝缘体半导体(MIS)触点。记录发射极复合电流密度(35-40 fA / cm

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