Dept. of Electron. Eng. Nat. Chiao-Tung Univ. Hsinchu Taiwan;
SRAM chips; amplifiers; NBTI; PBTI; high-k metal-gate devices; negative bias temperature instability; positive bias temperature instability; power-gated SRAM; power-gating structures; threshold voltage drift; tolerant sense amplifier structures;
机译:NBTI / PBTI和接触电阻对具有高 formula formulatype =“ inline”>
机译:NBTI / PBTI对纳米CMOS中具有高k金属栅极器件的多米诺逻辑电路性能的影响
机译:NBTI / PBTI对SRAM V_(MIN)的影响分析和改进的SRAM V_(MIN)的设计技术
机译:NBTI和PBTI对高k金属栅极装置电流型SRAM的影响
机译:通过原子层沉积进行金属栅/高k电介质堆叠工程:材料问题和电性能。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:NBTI / PBTI的统计方面以及对SRAM产量的影响