声明
第一章 绪 论
1.1 课题背景及研究意义
1.2 功率半导体器件的发展
1.3 功率LIGBT器件简介
1.4 功率VDMOS器件简介
1.5 本文主要工作
第二章 LIGBT与VDMOS理论分析
2.1 LIGBT工作原理与特性分析
2.1.1 LIGBT等效电路分析
2.1.2 LIGBT阻断特性分析
2.1.3 LIGBT正向导通特性分析
2.1.4 LIGBT开关特性分析
2.2 VDMOS工作原理与特性分析
2.2.1 VDMOS基本工作原理
2.2.2 VDMOS主要静态参数分析
2.2.3 VDMOS主要动态参数分析
2.3 本章小结
第三章 具有高K材料的LIGBT器件研究
3.1 CE-LIGBT器件结构
3.2 CE-LIGBT器件工作状态与机理
3.2.1 CE-LIGBT关断状态
3.2.2 CE-LIGBT导通状态
3.2.3 CE-LIGBT开关转换状态
3.3 CE-LIGBT仿真验证
3.3.1 CE-LIGBT击穿电压仿真
3.3.2 CE-LIGBT导通特性仿真
3.3.3 CE-LIGBT开关特性仿真
3.3.4 CE-LIGBT结构参数对器件特性的影响仿真
3.4 CE-LIGBT的工艺流程
3.5 本章小结
第四章 具有高K材料的可集成VDMOS器件研究
4.1 HK-VDMOS器件结构
4.2 HK-VDMOS器件工作机理
4.3 HK-VDMOS仿真验证
4.3.1 HK-VDMOS阈值电压仿真
4.3.2 HK-VDMOS开关特性仿真
4.3.3 HK-VDMOS击穿电压与比导通电阻仿真
4.3.4 HK-VDMOS关键参数对器件特性的影响仿真
4.4 本章小结
第五章 全文总结
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间取得的成果