Matsugase 3400 Chuo Denshi Kougyo Co. Ltd. CDK Kumamoto Japan;
Shibaura 3-9-14 Shibaura Institute of Technology SIT Tokyo 108-8548 Japan;
Izumio 6-2-19 Thermo-Graphitics Co. Ltd. TGC Osaka 551-0031 Japan;
Gallium nitride; HEMTs; MODFETs; Testing; Thermal conductivity; Transient analysis; Plastics;
机译:芯片和封装的瞬态热表征向前迈出了一步
机译:通过瞬态热测试评估封装的GaN HEMT共源共栅功率开关的热性能
机译:经受功率和热循环测试条件耦合的板级芯片级封装的瞬态热分析
机译:GaN芯片防漏泄漏包装,具有受控热扩散和瞬变
机译:快速的芯片级静态和瞬态热分析方法,用于封装中VLSI IC的热管理。
机译:用于脉冲操作的AlGaN / GaN HEMT热设计优化的瞬态仿真
机译:量子信息:防漏芯片