Department of Communication Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan;
Department of Communication Engineering, Okayama Prefectural University, 111 Kuboki, Soja, Okayama 719-1197, Japan;
机译:掺杂剂(Ga,Sb)与Ge晶体中污染金属原子相互作用分析的第一原理分析
机译:掺杂原子与硅晶体中的堆叠缺陷的相互作用
机译:硅中氮原子与空位相互作用的第一性原理计算
机译:通过第一原理计算研究H和(B,P,AS,Sb)之间的掺杂剂原子之间的远程相互作用
机译:金刚石和碳化硅中单一掺杂剂的首要原理研究。
机译:通过第一原理计算的富硅碳化硅材料的晶体结构和电子性能
机译:Ge晶体中掺杂剂(Ga,sb)与污染金属原子相互作用的第一性原理分析