机译:掩埋沟道PMOS器件中的阈值电压-最小栅极长度的折衷方案,用于按比例缩放的电源电压CMOS技术
机译:用于28nm High-k金属栅极CMOS工艺中的ESD保护的低泄漏,低触发电压SCR器件
机译:采用14纳米三栅极CMOS的节能图形处理器,具有集成的稳压器,用于细粒度DVFS,保持性睡眠和
机译:施密特触发闸门最小电源电压的比较与过程变化下的CMOS门
机译:传统低压BiCMOS工艺中的单片IGBT栅极驱动器
机译:使用自修复离子液体门控晶体管的施密特触发器
机译:通过CmOs逻辑门数和最高1兆级环形振荡器的实验验证来提高最小工作电压(VDDmin)