nMat Group, CEMES-CNRS, 29 rue Jeanne Marvig, 31055 Toulouse, France;
silicon nanocrystal; MOS; quantum dot; coulomb blockade;
机译:从超低能量离子注入获得的硅纳米晶体的连续充电响应到定量充电响应
机译:硅纳米晶体存储器中室温下的单电子充放电现象
机译:电荷控制剂(CCA)和调色剂摩擦带电的分子结构II:在调色剂摩擦带电现象中,具有与CCA充电相同极性的分子区域的作用
机译:在少数纳米晶体MOS结构中从连续到量化的充电现象
机译:量子点特性的有效计算:修正电荷平衡在纤锌矿CdSe纳米晶体结构的大包容性组中的应用
机译:使用基于硅纳米晶体的水平缝隙波导的CMOS兼容2位光谱量化方案
机译:从少量纳米晶体mOs结构中的连续到量子化充电现象