Bell Laboratories, Alcatel-Lucent, 600 Mountain Ave, Murray Hill, NJ 07974, USA;
MIT Lincoln Laboratory, 244 Wood St., Lexington, Massachusetts 02420, USA;
DBR; cavity; GaN; reflectivity; stress; resonator;
机译:具有AlGaN / GaN分布的Bragg反射器和InGaN / GaN量子阱的无裂纹全外延氮化物微腔
机译:基于Algan的UV-C分布式布拉格反射器,λ腔设计用于外腔结构电子束泵浦VCSEL
机译:低于250 nm的深紫外AlGaN / AlN分布式布拉格反射器
机译:高质量的UV AlGaN / AlGaN分布式布拉格反射器和微覆盖
机译:基于AlGaN的深紫色激光器中的光学增益和模态损耗=基于Algan的UVC激光二极管中的光学利润和模态损耗
机译:具有电化学蚀刻的纳米多孔AlGaN分布式布拉格反射器的性能增强型365 nm UV LED
机译:空气间隙/ III-氮化物分布式布拉格反射器GaN / AlGaN微张集中被困激子 - Polariton排放的室温观察