Institute of Physics, Silesian University of Technology, Konarskiego 22B, 44-100 Gliwice, Poland alina.domanowska@polsl.pl;
机译:用俄歇光电子重合谱研究在Si(100)上生长的SiO_2超薄膜的局部价电子态:观察到价带最大值随SiO_2厚度的变化
机译:通过俄歇电子能谱和X射线光电子能谱表征纳米级薄膜
机译:用俄歇电子能谱和电子能量损失能谱表征等离子体沉积的氮化硅膜
机译:使用螺旋钻电子光谱的SiO_2:TiO_2波导膜的化学表征
机译:使用X射线光电子能谱,俄歇电子能谱,电子能量损失能谱和低能电子衍射来表征氧化铝的电子和几何结构。
机译:双曲余弦波导锥度和超大矩形波导可减少W波段电子顺磁共振波谱中的宽带插入损耗。二。宽带表征
机译:用扫描电子显微镜和俄歇电子能谱测定少量六方氮化硼薄膜的厚度
机译:俄歇电子能谱,二次离子质谱和a-C:H和BN薄膜的光学表征