Energy Research Unit, Indian Association for the Cultivation of Science, Jadavpur, Kolkata- 700032, India;
Laboratoire de Genie Electrique de Paris (UMR 8507 CNRS), Ecole Superieure d'Electricite, Universites Paris VI et XI, Plateau de Moulon, 91190 Gif s;
carbon; PECVD; photoconductivity;
机译:微波表面波等离子体CVD沉积非晶碳薄膜的光学和结构性质
机译:微波表面波等离子体CVD沉积非晶碳薄膜的光学和结构性质
机译:LF(100 kHz),RF(13.56 MHz)和脉冲RF(13.56 MHz)等离子CVD沉积的非晶碳薄膜的结构特性
机译:在等离子体CVD系统中沉积在不同电极上的非晶碳膜的结构,机械和光电性能
机译:用微波ECR等离子体反应器沉积氢化非晶碳膜的膜性能和沉积过程的研究。
机译:在不加热衬底的情况下通过射频磁控等离子体溅射沉积的铝掺杂氧化锌薄膜的空间分辨光电性能
机译:使用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术沉积的氢化非晶碳(a-C:H)薄膜的结构和光学性质
机译:等离子体沉积的无定形氢化碳膜及其摩擦学性能