National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, AIST Tsukuba Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, 305-8568 Japan;
growth model; etching; doping; growth rate; simulation; chemical vapor deposition;
机译:卧式热壁反应器中SiC-CVD的数值模拟
机译:卧式热壁反应器中SiC-CVD的生长和掺杂模型
机译:卧式热壁反应器中碳化硅外延的数值模拟
机译:水平热壁反应器中SiC-CVD生长条件的数值分析
机译:高温热电应用中通过热壁反应器合成硅纳米粒子
机译:OKTOP®9000中生物量增长的数值模拟工业规模反应堆
机译:在不稳定条件下小水平轴风力涡轮机动力学行为的实验性和数值分析:第一部分