Material Department 6, University of Erlangen-Nurnberg, Martensstr. 7, D-91058 Erlangen, GERMANY;
Material Department 1, University of Erlangen-Nurnberg, Martensstr. 5, D-91058 Erlangen, GERMANY;
PVT-growth; doping; basal plane dislocations;
机译:高n型掺杂与高p型掺杂6H-SiC本体生长过程中基面位错的演化和稳定性
机译:SiC的块状生长-SiC气相生长促进掺杂研究进展及位错演化的系统研究
机译:掺杂Ti
机译:N型对P型掺杂对SIC晶体生长期间机械性能和位错演化的影响
机译:磷掺杂的n型和氢掺杂的p型CVD金刚石薄膜的光电研究。
机译:通过分子掺杂(共结晶)将电荷转移特性从p型转换为n型
机译:掺杂浓度对由化学浴沉积法生长的内在N型ZnO(I-ZnO)和(Cu,Na和K)掺杂P型ZnO薄膜的光学和电性能的影响
机译:用固态单晶生长(ssCG)技术开发n型和p型掺杂钙钛矿单晶。