micro resist technology GmbH, Koepenicker Str. 325, 12555 Berlin, Germany;
nanoimprint lithography; cross-linked polymers; chemically amplified resist; low temperature;
机译:低温纳米压印光刻过程中的聚合物时间常数
机译:4-甲氧基二苯甲酮与用于反应性单分子层辅助热纳米压印光刻技术的热塑性聚合物的光致接枝反应
机译:通过反应性逆向纳米压印光刻技术进行交联和化学官能化的聚合物载体
机译:反应性聚合物 - 低温下纳米压印光刻的途径
机译:分步和快速压印光刻:低压,室温纳米压印光刻。
机译:用于纳米压印光刻的热塑性聚合物纳米结构的增强的热稳定性
机译:聚合物膜厚度和腔尺寸对压花过程中聚合物流动的影响:纳米压印光刻的工艺设计规则。
机译:聚合物膜厚度和腔体尺寸对压花过程中聚合物流动的影响:纳米压印光刻的工艺设计规则