Department of Materials Science and Engineering University of Florida, Gainesville, FL 32611;
机译:控制具有改进的栅极介电可靠性的高质量GaN基金属氧化物半导体器件的SiO_2 / GaN堆栈中的Ga氧化物层间生长和Ga扩散
机译:用于GaN上的栅极氧化物和表面钝化的新型电介质
机译:生长温度对通过脉冲激光沉积在铝酸镁scan氧化物衬底上生长的GaN外延膜性能的影响
机译:用于栅极电介质的氧化镁和氧化钪生长和GaN动力装置的磁场钝化
机译:纳米N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的超薄氧化物和氮化物/氧化物堆叠的栅极电介质研究
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:喷射气相沉积(JVD)氧化硅/氮化物/氧化物薄膜(ONO)薄膜作为siC和GaN器件的栅极电介质的研究。