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ULTRALOW-POWER FD-SOI LSI DESIGN FOR FUTURE MOBILE SYSTEMS

机译:未来移动系统的超低功耗FD-SOI LSI设计

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摘要

Ultralow-power CMOS/SOI circuit technology that uses fully-depleted SOI and multi-threshold (MT) CMOS circuits makes it possible to lower the supply voltage to 0.5 V and reduce the power dissipation of LSIs to 1 ~ 10 mW without any speed loss. We overview some ultralow-voltage MTCMOS/SOI circuits including analog/RF circuits and a DC-DC converter. We also describe a self-powered short-range wireless system to verify the effectiveness of the ultralow-voltage MTCMOS/SOI circuits.
机译:超低功耗CMOS / SOI电路技术使用完全耗尽的SOI和多阈值(MT)CMOS电路,可以将电源电压降低至0.5 V,并将LSI的功耗降至1〜10 mW,而不会造成任何速度损失。我们概述了一些超低压MTCMOS / SOI电路,包括模拟/ RF电路和DC-DC转换器。我们还描述了一种自供电的短距离无线系统,以验证超低压MTCMOS / SOI电路的有效性。

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