Plasma induced damage from via etching in pMOSFETs

机译：pMOSFET中的过孔蚀刻导致等离子体引起的损坏

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In this paper, we present a study of micro breakdown (MB), soft breakdown (SB), and conventional hard breakdown (HB) on pMOSFET devices. In particular, we report evident damage due to via etching.

机译：在本文中，我们对pMOSFET器件的微击穿（MB），软击穿（SB）和常规硬击穿（HB）进行了研究。特别是，我们报告了由于通孔蚀刻造成的明显损坏。

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来源
《Design Systems with Users in Mind: The Role of Cognitive Artefacts》|1995年|p.114-117|共4页
会议地点
作者
Cellere G.; Valentini M.G.; Baraldo A.; Paccagnella A.;
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作者单位

Dipt. di Elettronica e Inf., Padova Univ., Italy;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类自动化技术、计算机技术;
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