Flash Process Department 1, Memory RD division, Hynix Semiconductor Inc. San 136-1, Ami-ri, Bubal-eub, Ichon-si, Kyungki-do 467-701, Korea;
double exposure; nitride spacer; CMP; nitride strip;
机译:介电分辨率增强涂层技术(DiRECT)-使用248 nm光刻技术和等离子增强聚合技术的低于90 nm的空间和孔图案化技术
机译:使用NEB-22抗蚀剂通过电子束光刻制造高分辨率的线条和空间图案
机译:计算光刻:耗尽193 nm投影光刻系统的分辨率极限
机译:使用非晶碳间隔物进行图案化以扩展当前光刻工具的分辨率极限
机译:通过新型纳米加工技术实现的分层多位簇和图案化介质-高分辨率电子束光刻和嵌段聚合物自组装。
机译:从封面:生物膜平版印刷通过光遗传粘附素表达实现高分辨率细胞模式
机译:高分辨率纳米透明机构:近期纯粹和经济高效的自上而下的光刻的最新进展,用于≈10nm尺寸纳米图:从边缘光刻到次级溅射光刻(ADV。Mater。35/2020)