在辐射温度测量中使用非滤色光电二极管作探测器分辨率极限

摘要

本文试图确定黑体辐射温度测量的理论与实际的分辨率极限 ,计算仅限于非滤色的Si、Ge、Insb光电二极管和温度限于 1 0 0℃～ 1 50 0℃的范围内 ,以固定点黑体 (BB)结构确定测量几何形态 ,其视场角为 3°,观察面积为 1mm2 ,假定探测器的长期噪声性能为目前最佳技术水平 ,计算表明 ,温度在 1 0 0℃～2 80℃的范围内 ,Insb全通带光测高温计的最佳分辨率是 1 5mK～ 4 0mK ;温度在 2 80℃～ 50 0℃范围内 ,Ge全通带光测高温计的最佳分辨率是 6mK～ 1 5mK ,温度在 50 0℃～ 1 1 0 0℃范围内 ,Si全通带光测高温计的最佳分辨率是 2mK～ 8mK ,这些结果要求探测器的温度稳定性非常好 (优于 0 0 1K)。