ECE Departments, University of California at San Diego, USA;
机译:栅极尺寸调整和V {sub} t分配,可降低有源模式泄漏功率
机译:栅极尺寸调整和V {sub} t分配,可降低有源模式泄漏功率
机译:带有子模块电源门控的选择加法器,可减少32nm以下VLSI中的有源模式泄漏
机译:具有数据保留功率门控的主动模式泄漏减少
机译:架构和编译器支持使用微处理器中的电源门控来减少泄漏
机译:M1上的间歇性Theta爆裂可能会增加Wingate无氧测试的峰值功率并防止经颅磁刺激测得的自愿激活减少
机译:随着子块功率门控提供选择加法器,用于减少Sub-32-NM VLSI中的主动模式泄漏
机译:多点室温下的阈值电压改善和栅极漏电流降低操作单电子晶体管(RT-sET)