Fert Beijing Research Institute BDBC School of Electronic and Information Engineering Beihang University Beijing 100191 China;
Magnetic tunneling; Magnetization; Switches; Semiconductor device modeling; Nonvolatile memory; Energy barrier; Mathematical model;
机译:使用基于电压控制的旋转轨道扭矩的MRAM阵列计算内存
机译:电压控制磁各向异性效应的最新进展及发展电压转矩MRAM面临的挑战
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机译:改进相变存储器(PCM)和自旋扭矩传递磁性RAM(STT-MRAM)作为下一代存储器:电路角度。
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机译:电压控制磁各向异性效应的最新进展以及开发电压转矩MRAM面临的挑战