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【24h】

The influence of hydrogen plasma and annealing on GaN film grown by plasma-assisted MOCVD

机译：氢等离子体和退火对等离子体辅助MOCVD生长的GaN薄膜的影响

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来源
《Control '96》|1996年|p.531-534|共4页
会议地点
作者
Sugianto; Subagio A.; Erzam; Sani R.A.; Budiman M.; Arifin P.; Barmawi M.;
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作者单位

Bandung Institute of Technology;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类自动化技术、计算机技术;
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