GE Global Research Center, One Research Circle, Niskayuna, NY 12309;
current spreading; light-emitting diode modeling; gallium nitride; SPICE circuit and device simulation;
机译:GaN / InGaN发光二极管(LED)的器件和电路建模可实现最佳电流扩散
机译:ZnO / GaN基发光二极管的电流扩展长度和注入效率
机译:高效设计中基于GaN的发光二极管的实际电流扩展长度的考虑
机译:通过均匀电流展开的GaN基发光二极管的建模与电路模拟,实现最佳效率
机译:基于氮化镓的发光二极管的建模,以实现均匀的电流扩散。
机译:基于GaN的发光二极管的效率模型:状态和挑战
机译:基于ZnO / GaN的发光二极管的电流展开长度和注射效率