NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa, Japan 243-0198;
NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato- Wakamiya, Atsugi, Kanagawa, Japan 243-0198;
NTT Basic Research Laboratories, NTT;
nanowire; heterostructure; III-V compounds; Silicon; vapor-liquid-solid growth;
机译:基于GaP的独立式纳米线中变薄的GaAs节点弯曲
机译:在Si(111)衬底上生长的基于GaP的纳米线中形成的InP纳米结构
机译:Feo-纳米线/ NicO2O4-Nanoshss核/壳异质结构作为具有增强锂储存性能的独立电极的合成
机译:基于间隙的基于间隙的间隙的外部结构纳米线
机译:国外基板上用于光电子应用的核-壳异质结构纳米线。
机译:独立的扭结纳米线晶体管探针可用于三维三维目标细胞内记录
机译:用于新应用的在Si(100)衬底上制备GaAs纳米线和GaAs-Si轴向异质结构纳米线