Department of Physics and Measurements Technology, Linkoeping University, S-581 83 Linkoeping, Sweden;
Ⅲ-Ⅴ semiconductors; cathodoluminescence, ionoluminescence; quantum wells; multilayers; superlattices;
机译:AlGaN / GaN量子阱和超晶格的光学研究
机译:AlGaN / GaN量子阱和超晶格的光学研究
机译:纤锌矿型GaN / AlGaN超晶格的全光子声子态及其色散谱:量子尺寸效应
机译:AlGaN / GaN量子井和超晶格的光学研究
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压