Center for High Technology Materials, University of New Mexico, ABQ, NM 87106;
AFRL, 2241 Avionic Circle, Wright-Patterson AFB, OH 45433-7320 USA;
quantum dots; passive mode locking; semiconductor lasers; photonic integrated circuit;
机译:使用In(Ga)As量子点或GaAs基质上生长的量子阱材料的单模被动锁模激光器的比较
机译:使用In(Ga)As量子点或GaAs基体上生长的量子阱材料对单模无源锁模激光器进行比较
机译:直接在同轴(001)Si上生长的单片9 GHz被动模式锁定量子点激光器
机译:可重新配置的单片量子点被动锁定激光器
机译:单片量子点无源锁模激光器的时域表征。
机译:具有极低重复频率的单片被动锁模量子点激光器的研究
机译:使用量子点或量子阱材料在Gaas衬底上生长的单片被动锁模激光器
机译:被动锁模量子点激光器的建模和直接电场测量(后印刷)