Department of Applied Physics Shri G. S. Institute of Technology and Science, 23. Park Road, Indore-452003, India;
quantum well waveguide; ultrafast processes; multiple valence band; hole burning; differential transmission spectra; pulse break-up;
机译:GaInP / AlGaInP压缩应变量子阱的价子带结构和光学增益的理论分析
机译:表现出多个价子带的磁化半导体量子线中的波函数分析和光学章动
机译:GaAs / AlGaAs多量子阱纳米结构掺杂缺陷板中的长波长超光脉冲传播
机译:具有多价井结构结构的量子阱中的脉冲传播
机译:具有自洽价子带结构和高k绝缘体的应变锗和钒III p沟道反型层中的空穴迁移率。
机译:宽带脉冲激发的非激子成分对GaAs / AlAs多量子阱中量子拍的影响
机译:InGaAs / InP量子线的价子带结构和光学增益
机译:利用脉冲回旋共振技术表征InGaas / Inalas mQW结构中重质量的二维传导子带