Mikroelektronik Centret (MIC), Technical University of Denmark, bldg. 345 east, 2800 Kgs. Lyngby, Denmark;
DRIE; microloading; depletion radius;
机译:由于依赖于纵横比的传输和微负载效应,在硅的深反应离子刻蚀中可实现的最大纵横比
机译:基于深反应离子刻蚀的硅高级刻蚀,用于硅高纵横比微结构和三维微纳结构
机译:深度反应离子蚀刻参数对具有高纵横比极深硅蚀刻工艺蚀刻速率和表面形态的影响:
机译:硅深反应离子蚀刻中的微载效应的表征
机译:使用灰度光刻和深反应离子刻蚀开发深硅相菲涅耳透镜
机译:结合隔离技术和深反应离子刻蚀形成硅纳米结构
机译:通过硅互连的深反应离子蚀刻技术的开发与表征