Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch of Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia;
silicon on insulator; MOSFETs; partially depleted; gamma radiation;
机译:伽玛辐射后辐射硬化H栅PD SOI NMOSFET的热载流子可靠性研究
机译:栅极长度为100 nm的等效氧化物厚度为1.1 nm的高迁移率Si / Si0.5Ge0.5 / SOI量子阱p-MOSFET的电学特性
机译:软伽马辐射的使用表征SiC功率MOSFET中的预击穿载波倍增及其与中子辐射测量的TCR失效率的相关性
机译:伽马辐射耐受0.5μmSOIMOSFET
机译:基于MOSFET基伽马辐射探测器
机译:Z栅极布局MOSFET的3D数值模拟
机译:γ射线辐射对Si和SiC功率MOSFET动态特性的影响
机译:射频和伽马辐射对p沟道mOsFET的综合影响