Fraunhofer-Institut fuer Angewandte Festkoerperphysik, Tullastrasse 72, 79108 Freiburg, Germany;
GaInN; light emitting diodes; Mg diffusion; nonradiative recombination;
机译:GaInN / GaN多量子阱发光二极管的光子调制电致发光
机译:通过调节InGaN / GaN多量子阱发光二极管中量子阱相对于p掺杂区域的位置来改善电致发光性能
机译:GaInN / GaInN多量子阱发光二极管的生长及其特性
机译:MG掺杂谱对Gainn多量子阱发光二极管电致发光性能的影响
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:量子阱宽度对AlGaN深紫外发光二极管在不同温度下的电致发光性能的影响
机译:通过调整量子阱相对于InGaN / GaN多量子阱发光二极管中p掺杂区的位置来改善电致发光性能