Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM, 87185;
light emitting diode; ultraviolet; AlGaN;
机译:在溅射和高温退火的AIN /蓝宝石上生长的基于AlGaN的深紫外LED
机译:Milliwatt Power 333 NM基于Algan的紫外线LED在蓝宝石基板上
机译:基于Algan的Deep-UV LED具有高效的载体运输,具有分级超晶格P-AlGaN
机译:基于Algan的多量子井深UV LED的优化与性能
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:基于AlGaN多量子阱的表面等离子体增强的深紫外发光二极管
机译:控制用于深UV LED的alN和高al含量alGaN基mQW的二维生长
机译:利用先进的半导体定位技术表征深紫外和深绿LED中的失效模式。