Dept. of Electrical Engineering, Univ. of Texas - Pan American, Edinburg, TX, USA 78541;
Dept. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Tennessee, Knoxville, TN, USA 37996;
GaN HEMT; DC characterization; intrinsic parameters; high temperature; numerical simulation;
机译:通过低温测量研究存取电阻对AlGaN / GaN HEMT高频性能的影响
机译:分析DC,通道温度和原位SIN / Algan-Sandwich-Barrier / GaN /Al₀.₀₅Ghmts的rf性能
机译:p-GaN HEMT器件的高温电性能和基于物理的分析
机译:GaN Hemts的高温性能测量和分析
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。