Hiratsuka Research Laboratories, Mitsubishi Gas Chemical Company, INC. 6-2, Higashi-yawata, 5-chome, Hiratsuka-shi, Kanagawa, 254-0016 Japan;
Hiratsuka Research Laboratories, Mitsubishi Gas Chemical Company, INC. 6-2, Higashi-yawata, 5-chome, Hiratsuka-sh;
calix4resorcinarene; molecular resist; positive-tone; EB; EUV; lithography; LER;
机译:基于富勒烯衍生物的新型正离子分子抗蚀剂在极端紫外光刻中的应用
机译:基于杯芳烃的EUV光刻新的负性分子抗蚀剂的开发
机译:用于EUV和EB光刻的负音分子抗蚀剂的表征
机译:新型苯基碱4间苯二酚:EB和EUV光刻的应用顶态分子抗蚀剂。
机译:电子束光刻光刻胶的研制与应用。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:EUV抗蚀剂和IC制造过程开发的现状,实现EUV光刻到2x DRAM及更远
机译:光化掩模成像:sHaRp EUV显微镜的最新结果和未来方向。会议:极紫外(EUV)光刻V,加利福尼亚州圣何塞,2014年2月23日;相关信息:期刊出版日期:2014年4月17日。