The University of Queensland, Australian Institute for Bioengineering and Nanotechnology and Centre for Magnetic Resonance, St Lucia, Qld, Australia 4072;
Sematech 2706 Montopolis Drive Austin, Texas, USA, 78741;
The University of Queensland, Australian In;
non-chemically amplified resists; non-CAR; 193 nm immersion lithography; polysulfone;
机译:基于聚砜的非CA抗蚀剂,用于193 nm浸没式光刻:提高聚合物吸收率对灵敏度的影响
机译:用于193 nm浸没式光刻的高折射率抗蚀剂
机译:用于193nm浸没式光刻的高RI抗蚀剂的合理设计
机译:193 nm浸入光刻的非Ca抗蚀剂:化学结构对敏感性的影响
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:高敏感性抗蚀性对EUV光刻进行抗衡性:材料设计策略和绩效结果综述
机译:用于193 nm浸没式光刻的非CA抗蚀剂:化学结构对灵敏度的影响