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Concentration dependence of diffusivity in polysilicon

机译:多晶硅中扩散率的浓度依赖性

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摘要

Abstract: Diffusion of phosphorus in polycrystalline silicon is carried out from POC1$-3$/ source at 1000$DGR@C for 1 hour. The diffusion profiles were obtained and were analyzed to get diffusivity as a function of concentration.!3
机译:摘要:磷在POC1 $ -3 $ /源中以1000 $ DGR @ C的温度在多晶硅中扩散1小时。获得了扩散曲线并进行了分析,以得出扩散率与浓度的关系。3

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