aluminium compounds; elemental semiconductors; epitaxial growth; gallium arsenide; III-V semiconductors; indium compounds; logic devices; nanowires; semiconductor device models; silicon; tunnel field-effect transistors;
机译:室温InAlAs / InGaAs / InP平面谐振隧道耦合晶体管
机译:使用氮化硅钝化抑制掺杂沟道InAlAs / InGaAs / InP异质结场效应晶体管(HFET)中的I-V扭结
机译:InGaAs / InAlAs / InP照相粉和MSM的背面照明处理技术
机译:互补隧道FET上的InGaAs / InP / Inalas / InP核心MultiShell纳米线的异质生长
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:Ingaas-Inp核心壳纳米线/ Si结用于垂直隧道场效应晶体管
机译:利用碳和锌基层掺杂剂的mOCVD材料生长和优化Inp / InGaas和Inalas / InGaas异质结双极晶体管结构