Department of Electrical Engineering Wright State University, Dayton, OH, USA;
rnDepartment of Electrical Engineering Wright State University, Dayton, OH, USA;
机译:兼容90 GHz CMOS的60 GHz标准兼容可编程50 GHz锁相环
机译:在130 nm CMOS中制造的21 GHz 8模数预分频器和20 GHz锁相环
机译:具有30 MHz至2 GHz锁定范围和±35 ps抖动的完全集成CMOS锁相环
机译:一个7.8 GHz CMOS锁相环
机译:采用0.18微米CMOS的26 GHz锁相环倍频器。
机译:具有锁模结构的2.4 GHz CMOS功率放大器可增强增益
机译:基于Simulink行为仿真的4 GHz CMOS充电泵锁相环设计