Anji Microelectronics (Shanghai) Co., Ltd., Shanghai 201203, China;
Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai 201203, China;
Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai 201203, China;
Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai 201203, China;
Semiconductor Manufacturing International Corporation, Shanghai 201203, China;
机译:CMP碱液成分对抛光速率影响的定量研究
机译:最佳化学机械抛光(CMP)浆料设计的策略
机译:相互作用力在控制CMP浆料的稳定性和抛光性能中的作用
机译:通过有针对性地调整抛光液和抛光垫,改善化学机械抛光CMP工艺的性能
机译:几种用于30nm以下铜技术的新型CMP浆料的开发和性能分析。
机译:浆料组成对金刚石薄膜化学机械抛光的影响
机译:CMP 304不锈钢中过氧化氢 - 草酸抛光浆料的研究