Institute of Semiconductor Physics, 630090, Novosibirsk, RUSSIA IMEC, Kapeldreef-75, 3001, Leuven, Belgium;
机译:强掺杂硅中辐射缺陷的活化能的变化取决于掺杂剂的类型和浓度
机译:非晶硅膜中缺陷密度与掺杂剂浓度的关系
机译:掺杂剂补偿对p型和n型晶体硅中硼氧缺陷的影响
机译:非平衡点缺陷浓度梯度对硅中掺杂剂通量的影响
机译:硅中非平衡硫族元素的浓度:物理结构,电子传输和光伏势。
机译:物理化学和α的逐字调查(虾壳)和β(鱿鱼笔)-壳聚糖膜:浓度梯度驱动水流和离子输运实现盐度梯度分离和分离流程作业
机译:雪沉积对1700km纬度梯度西西伯利亚低地地表水中主要和微量元素浓度和基本通量的影响
机译:硅太阳能电池重掺杂表面的电离掺杂浓度