Department of Chemical and Materials Engineering, University of Kentucky Lexington, KY 40506;
机译:自旋磨工艺引起的硅晶片地下损伤深度的分析预测
机译:通过化学自旋蚀刻改善硅晶片的表面研磨损伤
机译:化学自旋蚀刻硅晶片表面研磨损伤的改善
机译:硅晶片的表面损伤与旋转研磨的微调晶片加工
机译:硅晶片的研磨:晶片形状模型及其应用。
机译:用于表面精加工和电性能的单晶硅晶片激光研磨
机译:基于研磨的硅晶片制造方法:晶片表面的分解分析
机译:健康危害评估报告:HETa-2008-0045-3145,2011年11月。硅晶片研磨过滤过程产生的未知气体 - 科罗拉多州