塗布型有機フローティングゲ一卜トランジスタの作製と光メモリ機能の評価

摘要

フローティングゲート構造を有する有機電界効果トランジスタ（OFET)は、簡易的 な素子構造から大きな閾値電圧シフト（メモリウィンドウ）や比較的長時間の保持特性が得られ ることから、有機フラッシュメモリとしての応用が期待されている。これまでに我々は、トップ ゲート構造を有する高分子OFETに低分子半導体/高分子絶縁体混合膜から成る有機フローテイン グ構造を用いることで、全ての有機層を塗布プロセスで作製できるOFET メモリを開発し[1]、光 照射下で良好なメモリ特性が得られることを報告した[2]。本研究では、高い移動度と大気安定性 を有するpoly(2,5-bis(3-hexadecylthiophene-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene) (PBTTT)を用いたトップゲ 一ト塗布型OFET メモリを作製し、光メモリ機能を評価した。