RF-TSSG 法によるSiC 結晶成長時の移動現象の3 次元解析

摘要

演者らはこれまでTSSG 法によるSiC 結晶成長に関する数値解析を行い、溶液内対流としては自然対流や電磁攪拌よりも表面張力勾配に起因するマランゴニ対流の寄与が大きく、その結晶成長速度が結果半径に不均一となることを指摘した1,2)。しかしCZ 法などにおいてマランゴニ対流が支配的になることはまれであり、極めて浅いシリコン融液内でのHydrothermal Wave に関する解析は報告されているものの3)、高周波加熱（RF）TSSG 法におけるマランゴニ対流構造に関する報告は極めて少ない。そこで今回は以前の解析を3 次元に拡張し、溶液対流に及ぼすマランゴニ対流の影響に関し検討した。