スパッタMoS_2膜のHfO_2膜越し硫化における表面残留硫黄除去

摘要

MoS_2膜はバンドギヤップを持ち、薄膜領域でも比較的高い移動度を示すことから、MISFETチヤネルなどへの応用が期待されている。クリーンかつ大面積に成膜できるスパッタリング法によるMoS_2膜は硫黄欠陥を有するが、硫黄雰囲気でのポストアニールにより結晶性を改善できる。