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【24h】

酸素負イオン照射した錫添加In2O3薄膜における特異なキャリア輸送特性

机译:氧负离子辐照的掺锡In2O3薄膜具有独特的载流子传输特性

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摘要

はじめに:錫添加In_2O_3 (ITO)は優れた光学的透明性と電気伝導性を有し、透明導電膜として最も広く用いられている。ITOの電気特性は従来考察[1]されているが、多結晶薄膜においては伝導を担う結晶子が有限サイズの障壁(粒界)で隔てられていると考える。その場合、ホール移動度(μH)は光学移動度(μopt)よりも小さいと想定される。一方、本研究では酸素負イオン(O~−)照射後のITO薄膜において、μH >μoptとなる照射条件が見出された。
机译:简介:掺锡In_2O_3(ITO)具有出色的光学透明性和导电性,并且是使用最广泛的透明导电膜。尽管过去已经研究了ITO的电性能[1],但可以认为在多晶薄膜中,负责导电的微晶被有限尺寸的势垒(晶界)隔开。在这种情况下,假设空穴迁移率(μH)小于光学迁移率(μopt)。另一方面,在本研究中,在氧负离子(O-)照射之后在ITO薄膜中发现了μH>μopt的照射条件。

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