首页> 外文会议>応用物理学会秋季学術講演会;応用物理学会 >室温ソフトプラズマによるSiC_xN_yO_z薄膜形成法の開発
【24h】

室温ソフトプラズマによるSiC_xN_yO_z薄膜形成法の開発

机译:室温软等离子体形成SiC_xN_yO_z薄膜的方法研究

获取原文

摘要

SiC_xN_yO_z膜は、耐久性及び耐熱性と耐酸性を向上させる保護膜材料として幅広く応用できると期待されている。室温でSiC_xN_yO_z膜を製膜できれば、融点の低い材料にも適用可能になる。既往の研究[1]において、アルゴン(Ar)プラズマ中にモノメチルシラン(SiH_3CH_3, MMS)ガスと窒素(N_2)ガスを供給することにより、非晶質SiC_xN_yO_z薄膜が室温で形成可能であることが報告されたことから、本研究では、室温で製膜されるSiC_xN_yO_z膜の膜厚と組成の制御について調査した。
机译:期望将SiC_xN_yO_z膜用作改善耐久性,耐热性和耐酸性的保护膜材料。如果可以在室温下形成SiC_xN_yO_z膜,则可以将其应用于低熔点材料。在先前的研究中[1],据报道,通过在氩气(Ar)等离子体中供应单甲基硅烷(SiH_3CH_3,MMS)气体和氮气(N_2)气体,可以在室温下形成非晶SiC_xN_yO_z薄膜。在这项研究中,我们研究了在室温下形成的SiC_xN_yO_z膜的厚度和成分的控制。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号