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公开/公告号CN104143494B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-08-14
原文格式PDF
申请/专利权人 朗姆研究公司;
申请/专利号CN201410190658.3
发明设计人 哈梅特·辛格;索斯藤·利尔;
申请日2014-05-07
分类号
代理机构上海胜康律师事务所;
代理人李献忠
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:15:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-14
授权
2016-05-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/32 申请日:20140507
实质审查的生效
2014-11-12
公开
机译: 等离子体处理室组件,包括在等离子体暴露的表面上原位形成的保护层
机译: 在等离子体暴露表面上具有原位成形层保护层的等离子体处理室的组件
机译: 等离子体处理室的组分在等离子体暴露表面上具有保护性原位形成的层
机译:利用神经网络和光发射光谱技术对等离子体处理室进行原位泄漏检测
机译:根据非热等离子体处理条件和大气中经过的时间的基于非热等离子体处理条件和经过时间的抑制生物膜形成抑制
机译:专门的非加热腔室,具有空间均匀的微波能量分布,可支持DBD生产的远程暴露大气等离子体处理,以进行抗菌空气净化
机译:通过冷等离子体处理在淀粉基产品的表面上形成碳氟化合物屏障。
机译:根据喷雾沉积CNT膜的气敏特性评估表面清洁程序:热等离子体处理和O2等离子体处理
机译:使用氧等离子体处理和金属氧化物保护层制造的溅射的双铁氧体石榴石薄膜增强磁光性能
机译:用于材料分离的大型0孔,高功率,稳态等离子体处理室的RF天线设计