新しい光誘起容量電圧法による絶縁膜/ワイドバンドギャップ半導体界面深い準位の検出

摘要

ワイドバンドギャップ半導体は絶縁破壊耐圧が高く、かつ高温にてもリーク電流が少ないため、高耐圧電力素子の半導体基板に適する。同半導体上にはSi素子にて定評ある熱酸化SiO_2を形成することができないため、高性能・高信頼の表面保護膜・ゲート絶縁膜の形成が大きな課題である。同膜は半導体基板との界面にてトラップの少ないことが必要であるが、通常の容量電圧（C–V）法では深い準位を検出することが困難である。このため、光を照射した後に測定を行う光誘起 C–V 法が考案されたが、界面トラップを正確に評価することが困難であった（下記第3項参照）。本研究ではこの問題を解消する。