スパッタ法によりZn 膜上に堆積したAZO 薄膜の検討

摘要

Ⅲ族元素をドープしたZnO の薄膜は，低抵抗の膜となることから，ITO 薄膜に代わる透明導電膜用材料として注目されている[1]。そこで本研究室ではこれまで，ZnO に数wt.%のAl を添加したAZO 焼結体ターゲットを用い，スパッタ法により，AZO 薄膜の検討を行ってきた。しかし，5×10~(-4)Ω･cm より小さい抵抗率のAZO 薄膜を得ることができなかった[2]。一方，ZnO材料のみの膜においても，低抵抗の膜が得られることから，ZnO 系薄膜の導電特性は，酸素空孔によるキャリア主導であると考えられる[1]。このことから，通常のAZO 焼結体ターゲットにより作製される膜より，Zn が多く含まれる膜が作製できれば，5×10~(-4)Ω･cm 以下のAZO 薄膜を得ることができると考えられる。