rfスパッタリングによるIrO_x系エレクトロクロミック薄膜の作製

摘要

IrO_xは、電気化学的な酸化反応により着色するエレクトロクロミック(EC)材料として知られて おり、EC素子における還元発色のアモルファスWO_3薄膜の対極としての利用が検討されている が、WO_3と比較して、着色効率が低く、容量が小さいことや、Irが希少で高価である等の課題が ある。そこで、本研究では、Ir量を減らすため、酸化イリジウムと同じ構造で、高い電子伝導性 を有する酸化スズと酸化ィリジゥムとの複合酸化物薄膜(IrSnO_x)を作製し、そのEC特性について 解析した。また、他の代表的な酸化発色材料であるNiO_x薄膜との比較を行った。