InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体光デバイスにおけるn側構造の電気特性解析

摘要

InP基板上Ⅱ-Ⅵ族半導体は可視光を含む広い波長域に対応する光デバイス材料として期待される。我々は当該材料を用いた緑色／黄色発光 LED、レーザの研究を行っている。その中で、高い印加電圧が課題の一つとなっている。これまでに、その原因の一つが、デバイスのn側構造におけるZnCdSeバッファー層とMgZnCdSeクラッド層間のヘテロ接合におけるショットキー特性であることが示された。本研究では、このショットキー特性が想定されるヘテロ障壁により説明できるのか、またヘテロ障壁とショットキー特性との関係を調べるため、電気特性の実験値と理論解析結果を比較検討した。