直接貼付InP/Si基板におけるInP薄膜の表面状態の評価

摘要

年々増加する情報量に対し従来の電気配線において消費電力、発熱、伝送遅延の問題が生じており、これに代わる方法として光配線を用いる光インターコネクション技術に注目が集まっている。このような背景を踏まえ、我々は光デバイス作製に適したInP薄膜層とSi基板を直接貼付法を用いて接合し、その上に結晶成長によって光デバイスを作製する研究を行ってきた。今回、InP/Si基板におけるInP薄膜の表面状態の観察および表面粗さの測定を行った。